一种双模多频4GLTE行业专网小基站板的制作五分时时彩方法

文档序号:19092858发布日期:2019-11-09 00:06
一种双模多频4G LTE行业专网小基站板的制作五分时时彩方法

本实用新型涉及一种行业专网小基站板,尤其涉及一种双模多频4G LTE行业专网小基站板。



背景技术:

随着智能手机等新一代终端的不断普以及移动互联网业务的发展,无线数据业务呈现了持续的高速增长趋势。对4G网络的覆盖以及数据传输提出了越来越高的要求。为满足不断增长的用户移动数据业务需求,各运营商积极部署4G LTE网络(包括TD-LTE和FDD-LTE),极力提高4G LTE网络的覆盖率和传输速率。

对于典型蜂窝网络,运营商通常采用宏基站进行连续覆盖和室内浅层的部署,采用小基站进行室外热点和室内深度覆盖的部署。不同运营商采用的制式不同,如中国移动部署的TD-LTE网络,中国电信和中国联通部署的FDD-LTE网络。而同一制式有存在多个频段,如FDD的Band1、Band3,TDD的Band38、Band39、Band40、Band41等。

除了运营商领域,还有大量的行业应用如应急调度系统、驾考传输系统、警用安防系统、煤矿通信系统等,他们对小基站提出了更多定制化需求。希望同一块板子能支持FDD和TDD两种模式,同时能支持多个频段乃至当前国内三大运营商使用的全部频段。而当前主流小基站板方案只支持某种模式某个特定频段,对于双模多频需求,需要搭配多块小基站板来实现,系统复杂度高,成本也居高不下。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于提供一种双模多频4G LTE行业专网小基站板,解决现有技术存在的缺憾。

本实用新型采用如下技术方案实现:

一种双模多频4G LTE行业专网小基站板,其特征在于,小基站板的电路结构中包括发射通道和接收通道:

在发射通道中包括A/D转换电路、Balun电路(HHM17147A1)和射频放大器,所述射频放大器通过Balun电路与A/D转换电路相连,其中Balun电路的作用是将A/D转换电路的差分信号输送给射频放大器(射频放大器为宽频PA,MZ25333BT1),所述射频放大器的作用是将A/D转换电路产生的射频信号进行放大并通过射频口发射出去;

在接收通道中包括低噪声放大器(LNA)和与该低噪声放大器相连的射频开关,所述低噪声放大器的作用是将接收进来的射频信号进行放大并送入到射频开关(HWS486),所述射频开关(HWS486)的作用是将接收来的单端射频信号按需求切换至FDD接收通路或TDD接收通路,其中:TDD单端射频信号通过电容进入A/D转换电路(AD9363),而FDD单端射频信号通过Balun电路(宽频BALUN HHM17147A1)转换为差分信号输入到A/D转换电路(AD9363)。

在基站板的电路结构中包括射频放大器和射频发射器,所述射频放大器通过Balun电路与A/D转换电路相连,所述射频发射器通过相互串联的射频开关和所述Balun电路与AD转换电路相连,所述A/D转换电路与基带处理芯片相连,所述基带处理芯片与以太网电路相连。

进一步的,在所述小基站板内设置有板内电源。

进一步的,所述射频放大器和 Balun电路之间通过π型电路和衰减电路相连,在所述π型电路和所述衰减电路之间设置有射频通道电容。

本实用新型的有益技术效果是:实现了区域热点4G LTE双模多频的灵活配置,满足了不同制式终端的4G网络接入要求,为热点区域的网络覆盖提供了有效支持。本实用新型组装在基站设备中,在多地进行了部署且运行效果良好,完全满足了客户需求。针对小基站板多为单模单频产品,无法特定应用双模多频的要求,本实用新型可以在单块小基站板上支持TDD及FDD两种模式以及多个频段,客户可通过软件切换来配置所需要的模式和频段。从而大大降低系统复杂度和设备部署成本。本实用新型实现了区域热点4G LTE双模多频的灵活配置,满足了不同制式终端的4G网络接入要求,为热点区域的网络覆盖提供了有效支持。

附图说明

图1是小基站板的电路原理框图。

图2是balun电路原理图。

图3是balun电路与PA信号连接电路原理图。

图4是射频放大器芯片及其外围电路。

图5是射频放大电路与射频插头之间的电路原理图。

图6是宽频低噪声放大器的电路原理图。

图7是射频开关电路原理图。

图8是TDD接收进入AD转换电路的电路原理图。

图9是FDD接收进入AD转换电路的电路原理图。

具体实施方式

通过下面对实施例的描述,将更加有助于公众理解本实用新型,但不能也不应当将申请人所给出的具体的实施例视为对本实用新型技术方案的限制,任何对部件或技术特征的定义进行改变和/或对整体结构作形式的而非实质的变换都应视为本实用新型的技术方案所限定的保护范围。

如图1所示的双模多频4G LTE行业专网小基站板,在基站板的电路结构中包括发射通道和接收通道:

在发射通道中包括A/D转换电路、Balun电路(电路中的芯片型号为HHM17147A1)和射频放大器,射频放大器通过Balun电路与A/D转换电路相连,其中Balun电路的作用是将A/D转换电路的差分信号输送给射频放大器,射频放大器为宽频PA,电路中的芯片型号为MZ25333BT1,射频放大器的作用是将A/D转换电路产生的射频信号进行放大并通过射频口发射出去;

在接收通道中包括低噪声放大器(LNA)和与该低噪声放大器相连的射频开关,所述低噪声放大器的作用是将接收进来的射频信号进行放大并送入到射频开关,射频开关电路中的芯片型号为HWS486,射频开关的作用是将接收来的单端射频信号按需求切换至FDD接收通路或TDD接收通路,其中:TDD单端射频信号通过电容进入A/D转换电路(A/D转换电路中的芯片型号为AD9363),而FDD单端射频信号通过Balun电路转换为差分信号输入到A/D转换电路,本实施例中Balun电路中的芯片型号为宽频HHM17147A1,电路原理框图的连接关系为:电路结构中包括射频放大器和射频发射器,射频放大器通过Balun电路与A/D转换电路相连,射频发射器通过相互串联的射频开关和所述Balun电路与AD转换电路相连,A/D转换电路与基带处理芯片相连,基带处理芯片与以太网电路相连,在小基站板内设置有板内电源。

如图2所示,发射通道宽频BALUN电路中的芯片T2的型号是HHM17147A1,芯片T2的1号管脚UNBAL连接单端射频信号,此处为射频发射信号,输入到宽频PA MMZ25333BT1,2号管脚DC/GND通过电感L3与电源VDD相连,并通过电容C316接地,电源VDD提供1.3V的供电,电感L3和电容C316起到滤波的作用,3号管脚BAL1连接差分射频信号,作用是接入芯片AD9363输出的差分射频发射信号,5号管脚GND连接大地,6号管脚NC无需连接。

如图3所示,电容C310、电容C311和电容C312组成一个π型电路,用以做射频通道匹配,经过实测,C311与C312无需焊接,只需焊接C310即可。电容C416、电容C417、电容C418组成一个衰减电路,用以做功率衰减,图中衰减8dB 左右。如果有其他衰减需求,只需要调整这三颗料的阻值即可,电容C443为射频通道电容。

如图4所示的射频放大器芯片及其外围电路,芯片U31的型号为MMZ25333BT1,芯片U31的1、2、3、5、6、7、11、12、13、14、18、21、23号管脚NC无需连接,4号管脚RFin的作用是输入射频信号,此处射频信号未经放大,8号管脚VBA1的作用是第一阶放大偏置电压,用以打开第一阶放大器。R279起到限流降压作用。电容C423、电容C424、电容C425一端连接电源VDD_PA_SV,另一端接地,起到组合滤波作用。9号管脚VBA2是第二阶放大偏置电压,用以打开第二阶放大器。电阻R278一端连接电源VDD_PA_SV,另一端连接9号管脚VBA2,电阻R278起到限流降压作用。10号管脚VBIAS是第三阶放大偏置电压,用以打开第三阶的终阶放大器。15、16、17号管脚RFout3是第三阶的终阶射频信号输出,三个管脚串联后与电感L17的一端相连,电感L17的另一端分别与电容C452、电容C446、电容C447相连,电容C452、电容C446、电容C447的另一端接地,电感及电容起到组合滤波作用。20号管脚RFout2是第二阶射频信号输出,外接5V电压,20号管脚RFout2与电感L15相连,电容C432、电容C448、电容C450一端与外接电源VDD_PA_SV相连,另一端接地,电感、电容起到组合滤波作用。22号管脚RFin2是第二阶射频信号输入,管脚RFin2与电容C433、电容C434相互连接,电容C433、电容C434为射频通道电容。24号管脚RFout1。

如图5所示的射频插头J5与低噪声放大器之间的电路原理图,电容C397、电容C398和电容C399组成一个π型电路,用以做射频通道匹配。电容C397G两端分别连接电容C398和电容C399,电容C398和电容C399接地。电容C333一端接地,另一端分别连接电容C399和电容C330。经过实测,电容C398与电容C399无需焊接,只需焊接电容C397即可。

如图6所示的低噪声放大器LNA的电路原理图,射频接收信号从三极管Q2的基极管脚进入低噪声放大器电路,电感L5一端与三极管Q2的基极相连,另一端与电容C322相连,电容C322的另一端接地,电感L5和电容C322的作用是组合滤波,提供合适的偏置电压使低噪声放大器LNA正常工作。三极管Q2的集电极依次与电感L4和电阻R222的一端相连,电容C321一端连接在电感L4和电阻R222之间,另一端接地,电容R222的另一端连接在电源VDD和电容C319之间,电容C319的另一端接地,电源VDD与电阻R221的一端相连,电阻R221的另一端与电感L5相连。低噪声放大器LNA的集电极将放大后的射频信号向后送入射频开关。电容C319进行初级滤波,电阻R222主要承担限流作用,电感L4和电容C321组合形成次级滤波,提供合适的工作电压使低噪声放大器LNA正常工作。

如图7所示的射频开关电路,射频开关芯片U14(型号HWS486)的管脚V1和管脚V2的作用是控制开关切换方向,具体的真值表为:

电容C337一端与射频开关芯片U14相连,另一端接地,电容C338一端与射频开关芯片U14相连,另一端接地,电容C338起到滤波作用,消除开关信号可能存在的杂讯。射频开关芯片U14的管脚IN与电容C298相连,在电容C298的两端分别连接有电容C302和电容C313,电容C302和电容分别接地。射频开关芯片U14的管脚G接地。基带芯片BCM61755的GPIOH13作为控制信号源,通过一个单路反相器U16(非门SN74LVC1G04)产生出两路反相的信号TDD_RX_SW与FDD_RX_SW用以控制开关切换。射频信号输入:电容C298、电容C302、电容C313组成一个π型电路,用以做射频通道匹配,经过实测,电容C302与电容C313无需焊接,只需焊接电容C298即可。

如图8所示,TDD接收信号进入AD转换芯片AD9363的电路原理图,电容C324、电容C328、电容C329组成一个π型电路,电容C324的两端分别与电容C328和电容C329的一端相连,电容C328和电容C329的另一端接地。π型电路的作用是做射频通道匹配,经过实测,C328与C329无需焊接,只需焊接C324即可。

如图9所示,FDD接收信号进入AD转换芯片AD9363的电路原理图,电路原理图中包括多层巴伦电路芯片T3(HHM17147A1),多层巴伦电路芯片T3的管脚UNBAL连接单端射频信号,此处为射频接收信号,输入到BALUN,电容C331、电容C334、电容C335组成一个π型电路,其中电容C331的两端分别与电容C334和电容C335相连,电容C334和电容C335接地,多层巴伦电路芯片T3的GND管脚接地,多层巴伦电路芯片T3的管脚BAL2与电容C336相连,管脚DC/GND接地,管脚BAL1与电容C339相连,管脚BAL1连接差分射频信号,此处将BALUN输出的差分射频接收信号送入到AD转换芯片AD9363。π型电路的作用是做射频通道匹配,经过实测,C334与C3335无需焊接,只需焊接C331即可。

当然,本实用新型还可以有其他多种实施例,在不背离本实用新型精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员可以根据本实用新型做出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。

再多了解一些
当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1